Họ tên: Nguyễn Văn Tuấn
Ngày sinh: 1990
Dân tộc: Kinh
Đơn vị: Học viện Kỹ thuật quân sự
Đơn vị giới thiệu: Báo Tiền Phong
* Thành tích/Khen thưởng:
• Cụm công trình về màng vật liệu InSb.
• Mục tiêu: Điều khiển có chủ đích tính chất cấu trúc tinh thể, vi cấu trúc và quang học của màng InSb phục vụ chế tạo cảm biến hồng ngoại thông qua tối ưu tham số công nghệ.
• Giá trị thực tiễn: Đánh giá toàn diện ảnh hưởng điều kiện công nghệ tới quá trình kết tinh, biến dạng mạng và cấu trúc vi mô; áp dụng mô hình Burstein–Moss để lý giải hiện tượng mở rộng vùng cấm; chế tạo thành công màng InSb trên đế nền thương mại giúp giảm chi phí, thuận lợi tích hợp vi mạch; mở ra triển vọng phát triển thế hệ cảm biến hồng ngoại linh hoạt phục vụ nhu cầu dân dụng và lưỡng dụng.
• Công bố trên tạp chí Applied Surface Science (2023, Q1, tác giả chính) và 3 công trình đăng trên tạp chí, hội nghị uy tín trong nước giai đoạn 2022–2023 (tác giả chính).
• 1 bằng độc quyền sáng chế quốc gia.
• 14 bài báo khoa học công bố trên tạp chí quốc tế danh mục Q1 (4 bài tác giả chính).
• 4 bài báo khoa học công bố trên tạp chí quốc tế danh mục Q2 (1 bài tác giả chính).
• 9 bài báo khoa học công bố trên tạp chí khoa học trong nước (4 bài tác giả chính).
• 1 poster khoa học xuất sắc tại hội thảo quốc tế (tác giả chính).
• 4 sách giáo trình do nhà xuất bản uy tín phát hành (đồng tác giả).
• 5 sản phẩm được ứng dụng tại đơn vị.